檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "銦".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="何清華"
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本論文主要研究為利用熔融體生長法 (Liquid phase growth) 成長層狀化合物半導體-硒化銦摻雜鎘原子系列 (InSe:Cd x%, x=0.5, 1, 5) 和硒化銦摻雜錫原子系列 …
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本論文是以化學氣相傳導法利用三氯化碘(ICl3)為傳導劑成長β-In2S3及物理氣相傳輸法成長InS及In6S7來得到此硫化銦系列半導體之晶體，同時對此系列晶體之特性藉由光學量測的方式對其特性加以研…
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本論文利用化學氣相傳導法，成長出過渡金屬硫屬化合物半導體材料 CuInP2Se6，並研究其結構、光學與電學特性。藉由能量色散X射線光譜、X 射線光電子能譜儀確認成長之材料成分與預期相符。高解像能電子…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method，CVT）成長硒化銦系列晶體，目前成功成長出α-In2Se3層狀單晶, 之後進行晶體結構與光學特性分析。…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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本論文成長並探討過渡性金屬鎘銦化雙硫屬化合物之二硫化銦鎘 (CdInS2) 及二硒化銦鎘 (CdInSe2) 的光學特性與載子動力學之研究。首先利用化學氣相傳導法成長 CdInS2 與 CdInSe…
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本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體，對此系列晶體進行晶體結構分析，並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…
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本論文主要對於金屬氧化物半導體薄膜奈米結構中alpha相單斜結構三氧化二鉍(alpha-Bi2O3)、立方結構三氧化二銦(c-In2O3)以及岩鹽結構(rock-salt)氧化鎳(NiO)加以研究以…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method，CVT）並使用三氯化碘作為傳導劑，成長不同相之層狀二維硒化銦系列晶體，藉由成長條件的變化同時成功成長出γ-…